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Preliminary Technical Information
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
Boost Configuration for
PFC Circuits
N-Channel Enhancement Mode
IXFN 64N50PD2
3
4
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 52 A
≤ 85 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
2
1
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
2
1
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
52
200
A
A
3
4
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
36
50
1.5
10
A
mJ
J
V/ns
1 = Source
2 = Gate
3 = Drain / Diode anode
4 = Diode / Diode cathode
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
625
W
Features
Fast intrinsic diode in boost
T J
T JM
T stg
M D
Weight
Mounting Ttorque
Terminal connection torque
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
1.5 / 13 Nm/lb-in
5 / 13 Nm/lb-in
30 g
l
configuration
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 500 μ A
500
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
50
1
V
nA
μ A
mA
l
l
l
l
Easy to mount
Space savings
Tightly coupled FRED diode
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 32 A, Note 1
85
m ?
DS99507E(05/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
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